WD 推出全新iNAND嵌入式快閃記憶體 (EFD) 產品系列，讓智慧型手機使用者能夠盡情地享受現今由數據驅動的各種應用與體驗。新推出的iNANDR 8521和iNANDR 7550嵌入式快閃記憶體，採用Western Digital 64層3D NAND技術以及先進的UFS與e.MMC介面技術，提供出色的數據效能與龐大的儲存容量。用於智慧型手機與輕薄運算裝置時，這兩款產品能加速實現以數據為中心的各式應用需求，包括擴增實境 (AR)、高解析視訊的擷取、豐富的社群媒體體驗，以及近期崛起的人工智慧 (artificial intelligence, AI) 與物聯網 (IoT) 「邊際」(edge) 體驗。

數據的數量、速度種類與價值，持續在大數據 (Big Data)、快數據 (Fast Data) 與個人數據之中倍數成長並持續演化，而全球各地為數眾多的消費者，都將透過智慧型手機體驗這一波數據匯流風潮。

Counterpoint Research裝置及生態系統研究總監 (research director of devices and ecosystems) Neil Shah表示：「我們估計在2018年底，全球智慧型手機平均儲存容量將攀升到60GB 以上，以支援裝置中比重越來越高的豐富多媒體內容，以及人工智慧、擴增實境等各種由數據驅動的體驗。這代表先進3D NAND嵌入式快閃儲存解決方案是大勢所趨，而這些豐富的體驗也將被提升到更高的層次。」

Western Digital嵌入式與整合解決方案部門副總裁Christopher Bergey指出：「除了360度影片及多鏡頭相機，行動應用程式也開始採用人工智慧技術提供更佳的體驗，推動智慧型手機數據為中心的本質至全新境界。我們創新的iNAND解決方案，為現今密集的行動應用程式及體驗，打造出最合適的數據環境，並支援其蓬勃發展。結合Western Digital領先業界的X3 3D NAND技術，以及具備應用感知(application-aware)的SmartSLC技術的全面提升，得以提供用戶最智能及卓越效能的iNAND裝置。這些iNAND產品系列的新成員，讓我們能夠持續滿足全球行動市場不斷增長的行動數據需求。」

``iNAND 8521嵌入式快閃記憶體 專為旗艦行動裝置設計 展現未來5G網路的效能
iNAND 8521嵌入式快閃記憶體專為對數據應用有強度需求的使用者設計，採用UFS 2.1介面以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技術，與前一代針對旗艦智慧型手機所推出的iNAND 7232嵌入式快閃記憶體相比，連續寫入速度最高為其兩倍1，隨機寫入速度最高可達10倍2。iNAND 8521能快速且智能地回應使用者的應用程式效能需求，無論操作虛擬實境遊戲或下載高解析電影的速度皆如虎添翼。iNAND 8521嵌入式快閃記憶體的數據傳輸速度卓越出眾，讓行動用戶能夠充分利用最新Wi-Fi速度，並在電信服務供應商提供5G網路時可以使用網路增強技術。

``iNAND 7550專為輕便、高容量主流智慧型手機所設計
iNAND 7550嵌入式快閃記憶體讓行動裝置製造商生產符合成本效益的智慧型手機與運算裝置，提供充足的儲存空間，滿足消費者持續增加的數據需求，並同時提供快速的應用程式體驗。其採用e.MMC 5.1規格，是Western Digital採用e.MMC介面所推出的眾多產品中效能最高的iNAND嵌入式快閃記憶體，連續寫入效能最高260 MB/s，隨機讀／寫效能則分別為20K IOPS和15K IOPS3，讓iNAND 7550得以增強開機與應用程式開啟時間。

``上市時間與更多產品特色
以SanDiskR品牌推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式快閃記憶體是iNAND系列的生力軍，10多年來該系列已備受全球各大智慧型手機與平板製造商信賴。Western Digital目前已針對iNAND 8521與iNAND 7550儲存解決方案為OEM客戶提供樣本，容量最高為256GB。