繼去年 x3 MLC 技術後(參考: [ Sandisk 發表 x3 MLC 儲存技術 ])，Sandisk 再度挑戰物理極限，宣布 x4 MLC 記憶晶片即將開始量產。所謂 x4 是指 4-BITS-PER-CELL，可在每個 cell 上儲存 4-bit 的資料，比現行 MLC 多了一倍！此次 Sandisk 採用 43nm 製程，將開始量產 64Gb flash 晶片 (16Gb x4)，這也是目前業界首度出現的 64Gb 單晶片！

這項技術，仍然是由 Sandisk 與 Toshiba 合作開發的，Sandisk 也在這個新晶片中，導入 ABL(All-Bit-Line), TSP(three-step programming) 以及 SSC(sequential sense concept) 等獨家技術，可大幅提昇 MLC 效率。此次的 43nm 64Gb flash，將可達到 7.8MB/sec 的寫入速率！

此外，Sandisk 同時也宣布已經與 Toshiba 再度合作開發出 32nm 的 x3 MLC flash，未來將可讓 microSD, SSD 等儲存媒體成本再度下降！

以下是 Sandisk 新聞稿全文。

全球快閃記憶體供應商領導品牌SanDisk®（NASDAQ:SNDK）宣布將大量生產以多層電路元 (Multi-Level Cell，簡稱MLC) 技術為基礎，全球首項、領先業界的高效能4-bits-per-cell (X4) 快閃記憶體。SanDisk秉持提供業界最高的記憶體容量、滿足日新月異的記憶體應用程式，突破現有技術，採用43奈米製程來支援64Gb單顆粒記憶體晶片。此外，SanDisk亦已生產新一代的X4控制器，作為有效管理X4 記憶體效能表現及其複雜性及的必要工具。SanDisk結合X4 記憶體晶片及X4控制器晶片於多重晶片封裝(Memory Multi-Chip Package，簡稱MCP)內，以提供全面、 整合並符合經濟效益的記憶體方案。

SanDisk記憶體科技及產品發展高級副總裁Khandker Quader表示：「X4 記憶體及控制器技術視為快閃記憶體發展的重要里程碑，除了將為SanDisk 帶來長遠重大的效益外，更視為未來在NAND 快閃記憶體技術發展上的重要角色。64Gb X4乃是匯聚多項重大發明的成果，此項技術顯示SanDisk 在發展高效能、低成本multi-bit 快閃記憶體的領先技術外，亦突顯SanDisk在需佔用大量記憶體音樂、電影、相片、GPS及電腦遊戲等相關應用程式上的領導優勢。」

X4 快閃記憶體突破發展

SanDisk與東芝長期合作研發、生產先進的快閃記憶體，此次亦合作發展採用43 奈米製程的64Gb X4快閃記憶體技術。以三大主要元素--SanDisk專利的All –Bit-Line (ABL) 架構、最新發展的三步程式 (three-step programming，TSP) 、及順序概念 (sequential sense concept ，SSC) 構成X4不凡的卓越表現；其寫入速度比現今多層式晶片技術提升至每秒7.8MB，是目前業界最高容量與密度的快閃記憶體單顆粒，並預計將於今年投產。

X4 控制器科技乃是關鍵

SanDisk發展多項先進系統管理的創新應用程式，以解決4-bits-per-cell繁雜技術所帶來的問題。由SanDisk研發及擁有的X4控制器，利用首創專為儲存系統而設的錯誤校正碼 (error correcting code，簡稱ECC) ，支援4-bits-per-cell所需的16層分配模式。

SanDisk 未來科技及創新部副總裁Menahem Lasser表示：「兼具生產、效能及符合經濟成本的4-bits-per-cell技術，最根本的挑戰在於多層式儲存上需要創新先進的系統支援，幸而我們的X4控制器技術配合記憶體管理及單一處理系統，能完全符合4-bits-per-cell記憶體的獨特需求，此亦顯示出SanDisk在處理繁雜記憶體應用程式概念化與投入生產上的卓越能力。」

距離SanDisk在2008國際固態電路會議上推出X3 (3-bits-per-cell NAND) 技術只有一年的時間，SanDisk於2009國際固態電子電路會議 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC)上，與東芝遞交一份關於採用43奈米製程開發64Gb 4-bits-per-cell NAND快閃記憶體的突破性技術論文，並榮獲該會議2009路易斯優秀論文獎（Lewis Winner Outstanding Paper Award）的殊榮。

全球快閃記憶體供應商領導品牌SanDisk®（NASDAQ:SNDK）與東芝合作推出採用32奈米（nm）製程技術所生產的32-gigabite (Gb) 3-bits-per-cell (X3) 多層電路元 (Multi-Level Cell，簡稱MLC) 快閃記憶體晶片，助益以低成本生產高容量儲存記憶卡及固態硬碟等產品。

SanDisk共同創辦人兼總裁Sanjay Mehrotra表示 ：「SanDisk在推出56奈米3-bits-per-cell的第一代產品後一年半，即開發出第三代32奈米3-bits-per-cell技術，展現身為業界領導者具備的快速研發能力。同時，憑藉此創新技術，讓SanDisk更能以經濟的成本，提供更多兼具高容量及時尚外觀的產品，不僅助於拓展各產品線，更突顯SanDisk提供給消費者卓越技術與創新的堅持。」

32奈米 X3 技術—microSD相關產品的最佳選擇

32奈米32Gb X3技術是目前業界體積最小的快閃記憶體晶片，適用於手機和其他消費性電子產品中，僅有指甲大小的microSD™記憶卡。業界密度最高的32奈米 32Gb microSD記憶卡，以與43奈米相同的模組，提供比其高出兩倍的容量。32奈米製程以及其電路設計的領先技術為成就113mm2 晶片規格的關鍵要素，並以SanDisk All-Bit-Line （ABL）專利架構提升X3的讀寫效能。

SanDisk OEM業務部暨企業工程執行副總裁Yoram Cedar表示 ：「32奈米 X3晶片的小巧體積和令人難以置信的密度，促使高容量microSD的誕生。隨者日益增長的行動電話儲存需求，microSD的尺寸大小也成為消費者選購的要點，而X3技術將是使我們為市場注入新產品的重要因素。」

關於SanDisk核心技術

32奈米是業界迄今最先進的快閃記憶體製程技術，它需要先進的解決方案來管理在規格上的變化。結合數種創新技術的32奈米製程晶片，與摩爾定律中的其他趨勢線相較之下，其模組區域大幅減小。

SanDisk儲存技術部副總裁Klaus Schuegraf表示 ：「SanDisk成功的以43奈米浸沒式光刻技術部署間隙壁工藝，不需增加昂貴的光刻設備下，完成32奈米製程技術，SanDisk將其領先業界的64-bit NAND串長帶到32奈米，並採用創新的程式演算法和系统設計彌補位與位之間的甘擾影響（bit to bit）。」

SanDisk和東芝在2009國際固態電子電路會議 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC) 中攜手發表32奈米 32Gb X3 NAND快閃記憶體；強調可發展出32奈米的創新技術。32奈米32Gb X3預計在2009年下半年開始投產。