Intel 發表34nm製程 flash
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Intel 與美光 (Micron) 今日共同 (5/29) 發表了 34奈米製程的 32Gbit flash 晶片，這也是業界首款次 40奈米製程的 NAND 快閃記憶體晶片，當然也是目前業界最小型的 32Gb 晶片。這項技術是由 Intel 與美光合資的新公司: IMFT 所研發製造的。此款 32Gb NAND 晶片也是業界首款可以使用 TSOP 48腳位封裝的產品，也能有效降低封裝成本。預計六月開始出貨樣品，下半年則應可開始量產。
此款 34奈米晶片，是在 12吋廠中生產，晶粒(die)面積只有 172mm2，每片晶圓上可產出約 400顆晶粒。透過兩個 8-die 的堆疊封裝，則將包裝成 64GB 的記憶卡，已經超過了目前 SDHC 定義的最高 32GB容量。用來生產 256GB SSD 也相當方便。Samsung 也在最近發表了高速的 256GB SSD(參考前文: [Samsung 再創 SSD 速度紀錄])
Intel 與 Micron 也將會使用此項 34奈米製出，在年底推出低密度的 MLC、SLC 產品。