每單元4位元-WD 發表 3D NAND X4技術

分類: 儲存 新品報導   2017/7/31   WD


WD 發表開發出適用於64層3D NAND (BiCS3) 的X4 (每單元4位元) 快閃記憶體架構技術。憑藉之前開拓創新的X4 2D NAND 技術、成功商品化的經驗及深厚扎實的垂直整合能力,Western Digital再次成功研發推進適用於3D NAND的X4架構技術。這前進的邁步包括矽晶片加工和其相關設備工程以達到每個記憶體單元保存4 位元的資訊(16種信息狀態),以及快閃記憶體管理系統的專業技術。

BiCS3 X4技術能在單一晶片上提供領先業界的768Gb (gigabits) 儲存容量,與採用X3 (每單元3位元) 技術的512Gb晶片相比,提高了50%的容量。Western Digital將在今年8月美國加州聖塔克拉拉 (Santa Clara) 的快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit) 上展示採用BiCS3 X4架構技術的SSD 和可移動攜帶式產品。

Western Digital記憶體技術執行副總裁Siva Sivaram博士表示:「X4架構技術應用於BiCS3是Western Digital的一項重大發展,因為這不但證明了我們在NAND快閃記憶體技術領域的領導地位,也讓我們能提供客戶更多的儲存方案。這次發佈最重要的一點,就是在BiCS3 採用X4架構的創新技術能提供與BiCS3 X3相當的效能。縮小X4與X3架構的效能差距,是一項重要和革新化的功能,有助於在未來幾年提高市場對X4架構技術的接受度。」

3D NAND X4架構技術是Western Digital在快閃記憶體產業近30年來再次創新領導研發的成就,其他包括早期業界領先採用X2 (每單元2位元) 與X3 (每單元3位元) 架構的多層儲存單元 (MLC) 快閃記憶體技術。

Western Digital期望能將3D NAND X4技術商品化並應用到各種能充分利用X4更高容量優勢的終端產品。未來世代的3D NAND技術,包括96層BiCS4在內也預估將具備X4性能設計。